TSMC готова объявить детали 2-нм техпроцесса: энергопотребление снижено на 30%, рост производительности на 10-15%.
2-нм техпроцесс заменит 3-нанометровый в ближайшие два года. Новое поколение откажется от транзисторов FinFET и перейдет к объемным затворам GAA, как у Samsung и Intel.
TSMC официально объявила о 2-нм техпроцессе в июне и раскрыла некоторые технические детали. По сравнению с 3-нм техпроцессом, при одинаковом энергопотреблении скорость на 10~15% выше. При той же скорости энергопотребление снижается на 25~30%.
Однако с точки зрения плотности транзисторов улучшение 2-нм техпроцесса не столь впечатляюще. По сравнению с 3-нм она увеличилось только на 10%, что намного ниже предыдущего увеличения плотности транзисторов на 70%. Кроме того, время массового производства 2-нм техпроцесса TSMC также будет отложено до второй половины 2025 года. Это значит, что первые продукты на 2-нм придется ждать до 2026 года, а цикл обновления будет намного длительнее.
Почему увеличение плотности ограничено в 2-нм техпроцессе? Кто первые покупатели? TSMC еще предстоит ответить на эти вопросы.
