Директор TSMC Лю Дэин объявил о последних достижениях компании, отметив, что 3-нанометровый процесс превзошел ожидания и развитие будет продолжаться.
3- нанометровый процесс будет запущен в пробную серию во второй половине этого года, массовое производство начнется в 2022 году.
В отличие от агрессивной стратегии Samsung по созданию транзисторов с затворов GAAFET на 3-нм узле, техпроцесс TSMC первого поколения является более консервативным и по-прежнему использует FinFET.
По сравнению с 5-нм техпроцессом, 3-нм техпроцесс TSMC обеспечивает увеличение плотности транзисторов на 70%, увеличение скорости на 11% или снижение энергопотребления на 27%.
TSMC заявила, что машины для EUV-литографии становятся все более востребованными, но низкая производительность по-прежнему остается проблемой, а потребление энергии очень велико.
TSMC совершила прорыв в технологии EUV с мощностью источника света до 350 Вт, которые могут не только обеспечить 5-нм техпроцесс, но и позволят создать 1-нм процесс в будущем.
В TSMC полагают, что производство будет и дальше соответствовать закону Мура, обновляя поколение процессов через 2 года, а через 10 лет произойдет крупное технологическое обновление.
