Не так давно IBM объявила о переходе на технологию 2 нм, демонстрируя, что перспективы сокращения кремниевых пластин далеко не исчерпаны, хотя скорость действия закона Мура снизилась.
Однако при переходе на 1,5 и 1 нм, кремний достигнет своих физических пределов.
Национальный университет Тайваня, TSMC и Массачусетский технологический институт совместно обнародовали результаты исследований и впервые предложили использовать полуметаллический Bi (висмут) в качестве контактного электрода. Он может значительно снизить сопротивление и увеличить ток, делая его характеристики сопоставимыми с кремниевыми материалами, что поможет полупроводниковой промышленности справиться с проблемами следующего поколения 1 нанометров.
TSMC оптимизировала процесс осаждения висмута (Bi), а команда Национального Тайваньского университета использовала гелий-ионную литографию для повышения точности изготовления.
Ранее TSMC обновила свою дорожную карту технологических процессов, заявив, что ее 4-нанометровый чип войдет в стадию «рискованного производства» в конце 2021 года и пойдет в серию в 2022 году.
3-нанометровый продукт будет запущен в производство во второй половине 2022 года.
2-нанометровый процесс находится на стадии разработки.
